CC-C2-B15-0322
零件编号：
CC-C2-B15-0322
产品分类：
-
制造商：
描述：
SiC Power MOSFET 1200V 12A
封装：
包装：
Bulk
数量：
5
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：5
数量
价格
总价
5+
$7.7
$38.5
10+
$6.6
$66
100+
$6.05
$605
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
最大功耗
100W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
12A (Ta)
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
供应商器件封装
TO-247
封装 / 外壳
TO-247-4
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.2V @ 5mA
最大栅源电压
+15V, -5V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
135mOhm @ 10A, 15V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
40 nC @ 15 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1810 pF @ 200 V
最新产品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
移动端扫码