CBB011M12GM4T
零件编号：
CBB011M12GM4T
产品分类：
-
制造商：
描述：
SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,
封装：
包装：
Box
数量：
41
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$258.84
$258.84
18+
$222.75
$4009.5
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
供应商器件封装
-
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
Module
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
配置
4 N-Channel (Full Bridge)
技术
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
100A (Tj)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
14.9mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 28mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
405nC @ 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
10.1pF @ 800V
最大功率
292W (Tj)
最新产品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
移动端扫码