连续漏极电流 (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
封装 / 外壳
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.2V @ 500µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
1.2Ohm @ 2A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
29 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
325 pF @ 1000 V