Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.4V @ 1mA
封装 / 外壳
SOT-227-4, miniBLOC
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
78A (Tc)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
供应商器件封装
SOT-227 (ISOTOP®)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
45mOhm @ 60A, 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3950 pF @ 700 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
270 nC @ 20 V