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产品列表
XP3N5R0AMT
零件编号:
XP3N5R0AMT
产品分类:
-
制造商:
YAGEO XSemi
描述:
MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
1000
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
XP3N5R0AMT
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起订量:1
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1+
$0.76
$0.76
10+
$0.55
$5.5
100+
$0.36
$36
500+
$0.27
$135
1000+
$0.25
$250
产品参数
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.3V @ 250µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
5mOhm @ 19A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2800 pF @ 15 V
封装 / 外壳
8-PowerLDFN
供应商器件封装
PMPAK® 5 x 6
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
25A (Ta), 63.5A (Tc)
最大功耗
5W (Ta), 31.2W (Tc)
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