IRF8113GPBF
零件编号：
IRF8113GPBF
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
International Rectifier
描述：
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
封装：
Tube
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
库存
base.lang_mini : 0
数量
价格
总价
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
最大功耗
2.5W (Ta)
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.2V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
36 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2910 pF @ 15 V
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